通信世界网消息(CWW)5月16—17日,“2024世界电信和信息社会日大会”在浙江宁波召开。本次大会以“数字创新赋能新型工业化”为主题,探讨工业互联网、人工智能、光通信技术等在推进新型工业化、发展新质生产力等方面发挥的重要作用。

在开幕式上,中国科学院院士杨德仁发表了题为《硅基光电子发光材料与器件》的主旨报告。他指出,随着“后摩尔时代”的到来,硅基光电子应运而生,成为信息技术发展的重要方向之一,吸引国内外产业界竞相布局。然而,硅基光电子仍面临着技术瓶颈,需要产业界持续创新、实现突破。

硅基光电子应运而生

作为信息通信行业的基础,近年来集成电路技术突飞猛进、线宽不断降低。然而受物理尺寸的限制,当线宽向3nm、1nm持续下探时,电互连信号延迟、带宽受限、功耗密度上升等问题开始出现,产业步入了“后摩尔时代”。

在“后摩尔时代”如何发展集成电路?通常认为方向有二:一是more and more Moore,二是more than Moore。前者不断降低线宽;后者走多元化、集成化道路,将集成电路与光电子集成,即硅基光电子(硅基集成)。因为在带宽、功耗、电磁干扰、体积重量、接口密度等方面优势明显,所以硅基光电子在通信、数据中心、自动驾驶、传感、高性能计算、人工智能等领域具有广阔的应用前景。

目前,美国、日本、德国等已经投入巨资进行硅基光电子技术研究,其中美国成立了光子集成创新研究院,英特尔也投入了巨资。从全球来看,硅基光电子产业已经初步形成,产业链企业包括国内的华为、腾讯、百度、阿里巴巴等公司。从产业进展来看,硅基光电子已经大规模应用于数据中心内模块、ZR模块以及长距离相干模块,英特尔的100G硅光模块出货量达到500万只,业界预计到2026年硅光光模块在光模块市场将占据半壁以上江山。

技术瓶颈待突破

硅基光电子产业蓬勃发展、爆发在即。然而杨德仁院士也适时提醒,作为一项新技术,硅基光电子仍面临着技术方面的瓶颈。

“硅基光电子包括光源、波导、调制、探测、封装、集成等一系列程序,其中硅基光源是一大难点,到现在问题才解决了一半。”杨德仁院士解释,硅基光电子一方面需要在硅基材料上发出激光,另一方面需要在工艺上与集成电路兼容,然而硅是间接带隙半导体,发光效率非常低,而这已经成为了一个世界性难题。

为破解难题,产业界上下求索、多方努力,尝试了硅晶体中位错、多孔硅光、硅纳米(量子)点、硅基稀土、Raman激光器、混合激光器、连续波硅基InAs/GaAs量子点激光器等多种技术,不过依然没有破解难题,仍处于多途径探索阶段。

其中值得一提的是,英特尔与UCSB合作,用混合激光器做出硅上激光器,成为目前硅光片间光互连的主要方案,已经步入商业应用阶段。不过该方案存在尺寸大、无源波导损耗大、对准难等问题,只能应用在片间光互连,不能在片上实现光互连。

展望未来,杨德仁院士表示,硅基光电子是信息技术的重要方向之一,硅基片间互连光源可以通过键合技术实现产业化,但是硅芯片上光互连依然是瓶颈,目前硅基量子点、硅基Ge/GeSn、硅基稀土发光等是重要途径,但还没有取得最终的成功,依然有待突破。“革命尚未成功,同志仍需努力。”杨德仁呼吁。他认为,经过业界同仁的共同努力,硅基光电子的光源问题最终能够真正得以解决的。

友情提示

本站部分转载文章,皆来自互联网,仅供参考及分享,并不用于任何商业用途;版权归原作者所有,如涉及作品内容、版权和其他问题,请与本网联系,我们将在第一时间删除内容!

联系邮箱:1042463605@qq.com